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　　　“舔舐花蜜” TechInsights ：突破性技术 台积电最先进的嵌入式RRAM芯片(22ULL eRRAM)来了 。SAOA121AFOAJEFDN23AK

　　TechInsights发文称 ，发现了台积电22ULL嵌入式RRAM（阻电存储器）芯片 ，低功耗舔舐花蜜无线物联网解决方案的领导者NordicSemiconductor推出的突破性nRF54LSoC器件采用了台积电的22ULL嵌入式RRAM（eRRAM） 。

　　TechInsights拆解了FanstelEV-BM15EVKit ，找到了NordicBT5.4SoCnRF54L15器件 。自2019年以来 ，台积电提供了40纳米RRAM平台 ，现在的22纳米RRAM是台积电的第二代eRRAM 。这是业界首个拥有最先进的22纳米CMOS技术的RRAM ，可与嵌入式STT-MRAM相媲美 。

　　eRRAM内存块密度为17.5bit/µm2 ，位线方向的RRAM层宽度为170纳米 。RRAM存储层放置在metal3上 。ReRAM使用电阻作为开关的基础 。与STT-MRAM 、FRAM和PCM等其他新兴存储器件一起 ，ReRAM是取代嵌入式闪存（eFlash）的主要竞争者之一 。ReRAM不受辐射的影响 ，具有很高的电磁耐受性 ，并且没有泄漏问题 ，因为它不是基于电荷的器件 。

　　责任编辑 ：欧阳名军

【编辑:刘宝瑞】